Advanced Simulation Methods For Gallium Nitride Electronic Devices: An accurate analysis of state-of-the-art high-frequency and high-power Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors

49.00 EUR

Ein praxisorientiertes Werk, das Ingenieure mit modernen Simulationsansätzen vertraut macht, um die Effizienz von Gallium‑Nitride‑HEMTs in Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen gezielt zu steigern.

ISBN: 363931929X
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