Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Précipitation du B dans le Si implanté et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion réactive dans les films minces Ni/Si | Kaicus Deutschland

Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Précipitation du B dans le Si implanté et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion réactive dans les films minces Ni/Si

79.00 EUR

Ein tiefgehendes Forschungsbuch, das die Präzipitation von Bor in implantiertem Silizium sowie die komplexe Redistribution von B und Pt bei der interdiffusiven Reaktion in dünnen Ni/Si‑Schichten beleuchtet und damit neue Einblicke für Nanotechnologie­experten bietet.

ISBN: 6131548056
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