Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics

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Ein wissenschaftliches Buch untersucht, wie Stickstoff in HfO₂‑ und HfSiO‑Gate‑Dielektriken eingearbeitet wird, um die Stabilität, Oxidationsbeständigkeit und Durchschaltleistung von MOSFETs nachhaltig zu erhöhen.

ISBN: 3639157052

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