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Galaxus.de 68.00 EUR
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22-04-2026 20:58:35
Ein wissenschaftliches Buch untersucht, wie Stickstoff in HfO₂‑ und HfSiO‑Gate‑Dielektriken eingearbeitet wird, um die Stabilität, Oxidationsbeständigkeit und Durchschaltleistung von MOSFETs nachhaltig zu erhöhen.
