SSD SAMSUNG 1TB 860 QVO (MZ-76Q1T0BW) SATA III

Disco sólido interno de 1 TB con memoria V‑NAND MLC y caché LPDDR4 de 1 GB, que ofrece hasta 550 MB/s de lectura y 520 MB/s de escritura a través de SATA III (6 Gb/s). Su factor de forma de 2,5″ y peso ligero de 51 g lo hacen ideal para notebooks, mientras la encriptación AES‑256 garantiza seguridad avanzada. Con una vida útil estimada de 1 500 000 h y resistencia a golpes de 1500 G, combina rendimiento sólido con durabilidad fiable.

Marca: Samsung
Modelo: MZ-76Q1T0BW
MPN: MZ-76Q1T0BW
SKU: MZ-76Q1T0BW
Patrocinado  Este sitio contiene enlaces de afiliados por los cuales podríamos recibir una compensación. Más información
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Altura 6,8 mm
Ancho 100 mm
Calificación TBW 1440
Capacidad SSD 1024000 MB
Color Plata
Componente para Portátil
Consumo 4 W
Consumo de energía en espera 0.03 W
Consumo de energía promedio 2.2 W
Discos duros internos SSD Sata 3
ECC
Escritura aleatoria 4kb 89000 IOPS
Factor de forma 2.5"
Función DevSleep Oui
Golpes en funcionamiento 1500 G
Interfaz Serial ATA III
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95 %
Intervalo de temperatura de almacenaje -40 - 85 °C
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Lectura aleatoria in 4kb 96000 IOPS
NVMe No
Peso 51 g
Profundidad 69,8 mm
Soporte S.M.A.R.T.
Soporte TRIM
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Tipo de controlador Samsung MJX
Tipo de flash NAND MLC (Multi Level Cell)
Tipo de memoria V-NAND MLC
Velocidad de escritura 520 MB/s
Velocidad de lectura 550 MB/s
Velocidad de transferencia de datos 6 Gbit/s
Voltaje de operación 5 V