CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE: CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE

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Dieses Buch untersucht die thermische Leistung von Si/SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren und entwickelt neue Modelle zur Vorhersage ihrer Temperaturabhängigkeit in der Praxis.

ISBN: 6131500843

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Gesponsert Contribution A La Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature, Fachbücher von Thomas Zimmer, Hassene Mnif

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CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE: CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE

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